对比图
型号 2N6353 JANTX2N6353 JAN2N6353
描述 NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 4 4 4
封装 TO-213 TO-213 TO-213
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 2000 mW 2000 mW 2 W
击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V
集电极最大允许电流 5A 5A 5A
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @5A, 5V 1000 @5A, 5V
额定功率(Max) - 2 W 2 W
工作温度(Max) 200 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW
封装 TO-213 TO-213 TO-213
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99