对比图
型号 FQPF6N50 STD6N95K5 SPA04N80C3
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VINFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V - 800 V
额定电流 3.60 A - 4.00 A
额定功率 - - 38 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 1.30 Ω 1 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 42 W 90 W 38 W
阈值电压 - 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 950 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 3.60 A 9A 4.00 A
上升时间 65 ns 12 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 790pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 42 W 90 W 38 W
下降时间 45 ns 21 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 42W (Tc) 90W (Tc) 38W (Tc)
漏源击穿电压 500 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
输入电容 - 450 pF -
长度 10.67 mm - 10.65 mm
宽度 4.7 mm - 4.85 mm
高度 16.3 mm - 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99