对比图
型号 APT14M100B IXFH14N100Q2 STW12NK95Z
描述 N沟道MOSFET N-Channel MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR IXFH14N100Q2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 1 kV, 900 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STW12NK95Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.69 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 1.00 kV - 950 V
额定电流 14.0 A - 10.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.9 Ω 0.69 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 500 W 500 W 230 W
阈值电压 - 5 V 3.75 V
输入电容 3.97 nF - 3500 pF
栅电荷 120 nC - 113 nC
漏源极电压(Vds) 1000 V 1 kV 950 V
漏源击穿电压 - - 950 V
栅源击穿电压 - - 30.0 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A 10.0 A
上升时间 29 ns 10 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 3965pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 230 W
下降时间 26 ns 12 ns 55 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 230W (Tc)
长度 21.46 mm 16.26 mm 15.75 mm
宽度 16.26 mm 5.3 mm 5.15 mm
高度 5.31 mm 21.46 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
重量 - 6.00 g -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99