MGSF1N02LT1和MGSF1N02LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MGSF1N02LT1 MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT3

描述 ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1..  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 85 mohm, 10 V, 1.7 VON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V功率MOSFET 750毫安, 20伏 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -

额定电流 750 mA 750 mA -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 90 mΩ 0.075 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 400 mW 400 mW -

阈值电压 1.7 V 1.7 V -

输入电容 - 125 pF -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V 20.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 750 mA 750 mA 0.75A

上升时间 1 ns 1 ns -

输入电容(Ciss) 125pF @5V(Vds) 125pF @5V(Vds) -

额定功率(Max) - 400 mW -

下降时间 1 ns 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 400mW (Ta) 400mW (Ta) -

长度 2.9 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.94 mm 1.01 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2018/01/15 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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