BD139和BD139-10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD139 BD139-10 BD13916STU

描述 STMICROELECTRONICS  BD139  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 250 hFESTMICROELECTRONICS  BD139-10  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13916STU  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 50 MHz - -

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 1.50 A - 1.50 A

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) 250 40 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 1250 mW

额定功率 - - 12.5 W

集电极最大允许电流 - - 1.5A

长度 7.8 mm 7.8 mm 8 mm

宽度 2.7 mm 2.7 mm 3.25 mm

高度 10.8 mm 10.8 mm 11 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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