CSD16411Q3和CSD16412Q5A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD16411Q3 CSD16412Q5A IRFH3702TRPBF

描述 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETN 通道 NexFET™ 功率 MOSFETINFINEON  IRFH3702TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0057 ohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSON-Clip-8 VSON-FET-8 QFN-8

额定功率 - - 2.8 W

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.008 Ω 0.009 Ω 0.0057 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.7 W 3 W 2.8 W

阈值电压 2 V 2 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 52.0 A 16A

上升时间 7.8 ns 7.1 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 570pF @12.5V(Vds) 530pF @12.5V(Vds) 1510pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.7 W 3 W 2.8 W

下降时间 3.1 ns 3.3 ns 5.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.7W (Ta) 3W (Ta) 2.8W (Ta)

长度 3.3 mm 5.8 mm 3 mm

宽度 3.3 mm 4.9 mm 3 mm

高度 1 mm 1.1 mm 0.95 mm

封装 VSON-Clip-8 VSON-FET-8 QFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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