对比图
型号 NTD24N06LT4G STD30NF06LT4 STD20NF06LT4
描述 MOSFET 晶体管，ON SemiconductorSTMICROELECTRONICS STD30NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 VSTMICROELECTRONICS STD20NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 24.0 A 35.0 A 24.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.036 Ω 0.022 Ω 0.032 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 62.5 W 70 W 60 W
阈值电压 1.7 V 1.7 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V ±18.0 V
连续漏极电流(Ids) 24.0 A, 24.0 mA 35.0 A 24.0 A
上升时间 97 ns 105 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 1140pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.36 W 70 W 60 W
下降时间 52 ns 25 ns 12 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.36 W 70W (Tc) 60W (Tc)
输入电容 - 1600 pF -
通道数 1 - -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.38 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99