IPI80P04P4L-04和IPP80P04P4L-04

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPI80P04P4L-04 IPP80P04P4L-04

描述 MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-262-3 TO-220-3

通道数 1 1

漏源极电阻 4.4 mΩ 4.4 mΩ

极性 P-CH P-CH

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125 W 125 W

漏源击穿电压 40 V -

长度 10 mm 10 mm

宽度 4.4 mm 4.4 mm

高度 9.25 mm 15.65 mm

封装 TO-262-3 TO-220-3

产品生命周期 - Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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