IPI80P04P4L-04

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IPI80P04P4L-04概述

MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀;符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IPI80P04P4L-04中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 4.4 mΩ

极性 P-CH

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 80A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.25 mm

封装 TO-262-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI80P04P4L-04
型号: IPI80P04P4L-04
制造商: Infineon 英飞凌
描述:MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号IPI80P04P4L-04
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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IPI80P04P4L-04和IPP80P04P4L-04的区别

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