对比图
型号 STB6N62K3 STB9NK70ZT4 FQB6N70TM
描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道700V - 1欧姆 - 7.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFETN沟道 700V 6.2A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - -
额定电压(DC) - 700 V 700 V
额定电流 - 7.50 A 6.20 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.95 Ω 1.20 Ω 1.16 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 90 W 115W (Tc) 3.13 W
漏源极电压(Vds) 620 V 700 V 700 V
漏源击穿电压 - 700 V 700 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.5A 7.50 A 6.20 A
上升时间 - - 70 ns
输入电容(Ciss) 875pF @50V(Vds) 1370pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 115 W 3.13 W
下降时间 - - 50 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 115W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
阈值电压 3.75 V - -
长度 10.75 mm - 10.67 mm
宽度 10.4 mm - 9.65 mm
高度 4.6 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2014/06/16 - -
ECCN代码 - - EAR99