对比图
描述 集成电路ON SEMICONDUCTOR BD136G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 1.25 W, -1.5 A, 25 hFE 新PNP 晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
频率 - - 50 MHz
针脚数 - 3 3
极性 PNP PNP, P-Channel P-Channel
耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 25
额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W
直流电流增益(hFE) - 25 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1.25 W 1250 mW 1250 mW
额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -
额定电流 -1.50 A -1.50 A -
集电极最大允许电流 1.5A 1.5A -
最大电流放大倍数(hFE) 250 - -
热阻 - 10℃/W (RθJC) -
长度 8 mm 7.8 mm 7.8 mm
宽度 3.25 mm 2.66 mm 2.7 mm
高度 11 mm 11.04 mm 10.8 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99