对比图
型号 FQD7N10LTM STD6NF10T4 BUK7275-100A,118
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD7N10LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 100 V, 0.275 ohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS STD6NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 VBUK 系列 100 V 75 mOhm 84 W TrenchMOS 标准电平 FET - SOT-428
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
漏源极电阻 0.275 Ω 0.22 Ω 0.064 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 30 W 89 W
阈值电压 2 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 5.80 A 3.00 A 21.7 A
上升时间 100 ns 10 ns 39 ns
输入电容(Ciss) 290pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 1210pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 30 W 89 W
下降时间 50 ns 3 ns 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 30W (Tc) 89W (Tc)
额定电压(DC) 100 V 100 V -
额定电流 5.80 A 6.00 A -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源击穿电压 100 V 100 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.6 mm 6.6 mm -
宽度 6.1 mm 6.2 mm -
高度 2.3 mm 2.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -