对比图
型号 FDS8884 FDS9412 IRF7403TRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8884 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 30 V, 19 mohm, 10 V, 1.7 V 新单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorINFINEON IRF7403TRPBF 场效应管, MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 8.50 A 7.90 A 8.50 A
额定功率 - - 2.5 W
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.019 Ω 0.022 Ω 0.035 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
产品系列 - - IRF7403
阈值电压 1.7 V 1.6 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 8.50 A 7.90 A 8.50 A
上升时间 9 ns 10.0 ns 37 ns
输入电容(Ciss) 635pF @15V(Vds) 830pF @15V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 1 W 2.5 W
下降时间 21 ns - 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
输入电容 635 pF 830 pF -
栅电荷 13.0 nC 14.0 nC -
漏源击穿电压 30 V 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
通道数 1 - -
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -