BF1202WR和BF1202WR,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF1202WR BF1202WR,115 BF1201WR

描述 BF1202WR N沟道MOSFET 10V 30mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 LE 电压控制小信号开关/高饱和电流能力Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4Pin(3+Tab) CMPAK T/RBF1201WR N沟道MOSFET 10V 30mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 LA 低固有电容/栅极电荷最小化

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 -

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

频率 - 400 MHz -

额定电流 - 30 mA -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 0.2 W -

漏源极电压(Vds) - 10 V -

连续漏极电流(Ids) - 30.0 mA -

增益 - 30.5 dB -

测试电流 - 12 mA -

耗散功率(Max) - 200 mW -

额定电压 - 10 V -

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