对比图
型号 MMSF7P03HDR2 MMSF7P03HDR2G STS7PF30L
描述 功率MOSFET 7 A， 30 V ， P沟道SO- 8 Power MOSFET 7 A, 30 V, P−Channel SO−8-7A,-30V,P沟道功率MOSFETP沟道30V - 0.016ohm - 7A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V
额定电流 -7.00 A -7.00 A -7.00 A
漏源极电阻 35.0 mΩ 35.0 mΩ 0.016 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W
输入电容 1.68 nF 1.68 nF -
栅电荷 75.8 nC 75.8 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.00 A 7.00 A
输入电容(Ciss) 1680pF @24V(Vds) 1680pF @24V(Vds) 2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc)
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
阈值电压 - - 1.6 V
上升时间 - - 54 ns
下降时间 - - 23 ns
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.5 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -