对比图
型号 STP12NM50FD STP14NM50N STP12NM50
描述 N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODESTP14NM50N 系列 N 沟道 500 V 0.32 Ohm MDmesh II 功率 MOSFet - TO-220-3N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 12.0 A - 12.0 A
漏源极电阻 400 mΩ 0.28 Ω 0.35 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 90 W 160 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12A 12.0 A
上升时间 10 ns 9 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 1000pF @25V(Vds) 816pF @50V(Vds) 1000pF @25V(Vds)
下降时间 18 ns 32 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 90W (Tc) 160W (Tc)
通道数 - 1 -
阈值电压 - 3 V 4 V
额定功率(Max) - 90 W 160 W
额定功率 - - 160 W
针脚数 - - 3
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.15 mm 15.75 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99