对比图
型号 SPP47N10 STP80NF10 SPA04N80C3
描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 800 V
额定电流 47.0 A 80.0 A 4.00 A
额定功率 - 300 W 38 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.012 Ω 1.1 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 175W (Tc) 300 W 38 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 47.0 A 80.0 A 4.00 A
上升时间 - 80 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 38 W
下降时间 - 60 ns 12 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 175W (Tc) 300W (Tc) 38W (Tc)
通道数 - 1 -
输入电容 2.50 nF 5500 pF -
漏源击穿电压 - 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
栅电荷 105 nC - -
长度 - 10.4 mm 10.65 mm
宽度 - 4.6 mm 4.85 mm
高度 - 9.15 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99