对比图
描述 达林顿放大器晶体管（ NPN硅） Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR MMBTA14LT1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - 125 MHz
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V
额定电流 300 mA 300 mA
无卤素状态 - Halogen Free
针脚数 - 3
极性 NPN NPN
耗散功率 - 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.3A 0.3A
最小电流放大倍数(hFE) 20000 @100mA, 5V 20000 @100mA, 5V
额定功率(Max) 225 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) - 20000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
增益带宽 125MHz (Min) 125MHz (Min)
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW
长度 - 3.04 mm
宽度 - 1.3 mm
高度 - 1.01 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99