IRFP90N20DPBF和STW52NK25Z

对比图

型号 IRFP90N20DPBF STW52NK25Z STW90NF20

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFP90N20DPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 94A, TO-247AC 新STMICROELECTRONICS  STW52NK25Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 VN沟道200 V， 0.019 Ω ， 83 A， TO- 247低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 200 V, 0.019 Ω, 83 A, TO-247 low gate charge STripFET™ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

通道数 - - 1

漏源极电阻 23 mΩ 0.033 Ω 23 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 580 W 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 200 V 250 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 250 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 94.0 A 26.0 A 83A

上升时间 160 ns 75 ns 138 ns

输入电容(Ciss) 6040pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds) 5736pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 580 W 300 W 300 W

下降时间 - 55 ns 142 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 300000 mW 300W (Tc)

额定电压(DC) 200 V 250 V -

额定电流 94.0 A 52.0 A -

针脚数 3 3 -

产品系列 IRFP90N20D - -

阈值电压 5 V 3.75 V -

输入电容 6040pF @25V - -

热阻 0.26℃/W (RθJC) - -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

长度 15.87 mm 15.75 mm 15.75 mm

宽度 - 5.15 mm 5.15 mm

高度 20.7 mm 20.15 mm 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99