对比图
型号 APT20M45SVRG SML20S56 FDB52N20TM
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin(2+Tab) D3PAKN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB52N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Semelab Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 - 2
封装 D3PAK-3 - TO-263-3
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 56.0 A - 52.0 A
耗散功率 300 W - 357 W
输入电容 4.86 nF - 2.90 nF
栅电荷 195 nC - 63.0 nC
漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V
连续漏极电流(Ids) 56.0 A - 52.0 A
上升时间 14 ns - 175 ns
输入电容(Ciss) 4050pF @25V(Vds) - 2900pF @25V(Vds)
下降时间 7 ns - 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW - 357 W
针脚数 - - 2
漏源极电阻 - - 0.041 Ω
极性 - - N-Channel
阈值电压 - - 5 V
栅源击穿电压 - - 200 V
额定功率(Max) - - 357 W
封装 D3PAK-3 - TO-263-3
长度 - - 9.98 mm
宽度 - - 10.16 mm
高度 - - 4.572 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99