对比图
描述 NXP BFG135 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 7 GHz, 1 W, 150 mA, 130 hFENXP BFG35,115 晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE射频线NPN硅高频晶体管噪声系数3.0分贝@ 500MHz的 The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
封装 SOT-223 TO-261-4 244A-01
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1 W 1 W 5 W
击穿电压(集电极-发射极) - 18 V 17 V
增益 - - 13 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 25 @100mA, 10V 50 @50mA, 5V
针脚数 3 3 -
直流电流增益(hFE) 130 70 -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
耗散功率(Max) 1 W 1000 mW -
频率 - 4000 MHz -
额定功率(Max) - 1 W -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
封装 SOT-223 TO-261-4 244A-01
长度 - 6.7 mm -
宽度 - 3.7 mm -
高度 - 1.7 mm -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
工作温度 - 175℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -