对比图
型号 IRF7240PBF STS5PF30L FDS6375
描述 MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -40V; RDS(ON) 0.015Ω; ID -10.5A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20VP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6375 晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -20 V, 24 mohm, -4.5 V, -700 mV
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) - -30.0 V -20.0 V
额定电流 - -5.00 A -8.00 A
漏源极电阻 0.025 Ω 0.045 Ω 0.014 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 3 V 1.6 V -
漏源极电压(Vds) 40 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 - 30.0 V -400 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V ±8.00 V
连续漏极电流(Ids) -10.5 A 5.00 A 8.00 A
上升时间 - 35 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 9250pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 2694pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 1 W
下降时间 - 35 ns 57 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW 2.5W (Ta)
通道数 1 - 1
针脚数 - - 8
输入电容 - - 2.69 nF
栅电荷 - - 26.0 nC
产品系列 IRF7240 - -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.25 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99