FDS9435A和TPS1100D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS9435A TPS1100D STS5PF30L

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9435A  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.3 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1.7 V单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V -15.0 V -30.0 V

额定电流 -5.30 A -1.60 A -5.00 A

输出电压 - -15.0 V -

漏源极电阻 0.042 Ω 0.18 Ω 0.045 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 791 mW 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 15 V 30 V

连续漏极电流(Ids) -5.30 A -1.60 A 5.00 A

上升时间 13 ns 10 ns 35 ns

额定功率(Max) 1 W 791 mW 2.5 W

下降时间 9 ns 2 ns 35 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 85 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 791mW (Ta) 2500 mW

阈值电压 - - 1.6 V

漏源击穿电压 30 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V - ±16.0 V

输入电容(Ciss) 528pF @15V(Vds) - 1350pF @25V(Vds)

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

输入电容 528 pF - -

栅电荷 10.0 nC - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.25 mm

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台