CDZT2R6.8B和VDZT2R6.8B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CDZT2R6.8B VDZT2R6.8B

描述 VMN 6.79V 0.1W(1/10W)VDZ6.8B 系列 6.8 V 100 mW 表面贴装 齐纳二极管-VMD-2

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 VMN-2 SMD-2

容差 ±2 % ±2 %

耗散功率 100 mW 100 mW

测试电流 5 mA 5 mA

稳压值 6.79 V 6.8 V

额定功率(Max) 100 mW 100 mW

耗散功率(Max) 100 mW 100 mW

额定电压(DC) - 6.80 V

额定功率 - 100 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 VMN-2 SMD-2

长度 - 1 mm

宽度 - 0.6 mm

高度 - 0.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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