对比图
型号 SI4925DY-T1 STS4DPF20L STS4DPF30L
描述 Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 30V, 0.032ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8N 通道 STripFET™ 双 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STS4DPF30L 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 20.0 V -20.0 V -30.0 V
额定电流 -6.30 A -4.00 A -4.00 A
漏源极电阻 45.0 mΩ 0.07 Ω 0.07 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.10 W 2 W 2 W
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V ±16.0 V
通道数 - 2 2
针脚数 - - 8
阈值电压 - 1.6 V 1 V
漏源极电压(Vds) - 20 V 30 V
漏源击穿电压 - 20 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 4.00 A 4.00 A
上升时间 - 35 ns 35 ns
输入电容(Ciss) - 1350pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1.6 W 2 W
下降时间 - 35 ns 35 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.25 mm 1.25 mm
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)