BSV52和BSV52LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSV52 BSV52LT1G BSV52,215

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSV52..  射频双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  BSV52LT1G  单晶体管 双极, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 100 mA, 25 hFENXP  BSV52,215  单晶体管 双极, 开关, NPN, 12 V, 500 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 400 MHz 400 MHz 500 MHz

额定电压(DC) 12.0 V 12.0 V -

额定电流 200 mA 200 mA -

额定功率 225 mW - -

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 225 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 12 V 12 V 12 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 1V 40 @10mA, 1V 40 @10mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 120 - 25 @1mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 25 25 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 225 mW 300 mW 250 mW

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

增益频宽积 - 400 MHz -

长度 2.92 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 2.64 mm -

高度 0.93 mm 1.11 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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