VND7N04-E和VND7N04TR-E

对比图

型号 VND7N04-E VND7N04TR-E VND7N04

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 42 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 VVND7N04 单通道 低边 自保护 42 V 7 A 0.14 Ohm 功率MOSFET -TO-252-3“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

漏源极电阻 0.14 Ω 140 mΩ 140 mΩ

耗散功率 60 W 60 W 60000 mW

漏源击穿电压 42.0 V 42.0 V 42.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.00 A 7.00 A

输入电压(Max) 18 V 18 V 18 V

输出电流(Max) 4 A 4 A 4 A

输入数 1 1 1

耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW 60000 mW

输出电流 11 A 11 A -

供电电流 0.25 mA 0.25 mA -

针脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel -

输出电流(Min) 4 A 4 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

输入电压 18 V 18 V -

阈值电压 3 V - -

漏源极电压(Vds) 42 V - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99