对比图
型号 IRF7413ZTRPBF STS11NF30L FDS6670A
描述 Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8Pin SOIC T/RN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6670A 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 13.0 A 11.0 A 13.0 A
通道数 1 - 1
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - 0.0085 Ω 8 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 1.8 V 1 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V
栅源击穿电压 - ±18.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 11.0 A 13.0 A
上升时间 6.30 ns 39 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1210pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 2220pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 1 W
下降时间 - 16 ns 42 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW 2.5W (Ta)
产品系列 IRF7413Z - -
额定功率 - 2.5 W -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm
高度 - 1.25 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR