IRF7313TRPBF和STS5DNF20V

对比图

型号 IRF7313TRPBF STS5DNF20V STS9D8NH3LL

描述 MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.029Ω; ID 6.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20VSTMICROELECTRONICS  STS5DNF20V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V30V,9A,0.012Ω,双N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 20.0 V -

额定电流 6.50 A 5.00 A -

额定功率 - 1.6 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 0.046 Ω 30 mΩ -

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-CH

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 1 V 2.7 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 20.0 V -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.50 A 5.00 A 8A/9A

上升时间 8.90 ns 33 ns -

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds) 857pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W 2000 mW

产品系列 IRF7313 - -

输入电容 650pF @25V - -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 1.5 mm 1.65 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -