BST82,215和MMBF170

对比图

型号 BST82,215 MMBF170 BST82

描述 NXP  BST82,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 VNXP  BST82  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 10 ohm, 5 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 500 mA -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 5 Ω 5 Ω 10 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 830 mW 300 mW 830 mW

阈值电压 2 V 2.1 V 2 V

输入电容 - 40.0 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 100 V

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 190 mA 500 mA 190 mA

输入电容(Ciss) 40pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds) 25pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 830 mW 300 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 830mW (Tc) 300mW (Ta) 0.83 W

长度 - 2.92 mm 3 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 - 0.93 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -