对比图
型号 FQPF65N06 STD18N55M5 STP55NF06FP
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF65N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP55NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 18 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 40.0 A - 50.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.016 Ω 0.18 Ω 0.018 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 56 W 90 W 30 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 550 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 550 V 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 40.0 A 16A 50.0 A
上升时间 160 ns 9.5 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 2410pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 56 W 90 W 30 W
下降时间 105 ns 13 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 56W (Tc) 110W (Tc) 30000 mW
通道数 - 1 1
长度 10.16 mm 6.6 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 6.2 mm 4.6 mm
高度 9.19 mm 2.4 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -