对比图
型号 FQP9N50C STP9NK50Z STP8NM50N
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP9NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 500 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STP8NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 9.00 A 7.20 A -
额定功率 - 110 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 800 mΩ 0.72 Ω 0.73 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 135 W 110 W 45 W
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 7.20 A 5A
上升时间 65 ns 20 ns 4.4 ns
输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 910pF @25V(Vds) 364pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 135 W 110 W 45 W
下降时间 64 ns 22 ns 9 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 135W (Tc) 110W (Tc) 45W (Tc)
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -