对比图
型号 STD3N62K3 STP3N62K3 FQD5N60CTM
描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD5N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
漏源极电阻 2.2 Ω - 2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 45 W 49 W
阈值电压 3.75 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 620 V 620 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 2.7A - 2.80 A
上升时间 6.8 ns 6.8 ns 42 ns
输入电容(Ciss) 385pF @25V(Vds) 385pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 45 W 2.5 W
下降时间 15.6 ns 15.6 ns 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 5.00 A
针脚数 - - 3
长度 6.6 mm 10.4 mm 6.73 mm
宽度 6.2 mm 4.6 mm 6.22 mm
高度 2.4 mm 15.75 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99