FJP5304DTU和MJE13005G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJP5304DTU MJE13005G TR236

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon4安培NPN硅功率晶体管400伏 - 75瓦 4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 400 V 400 V -

额定电流 4.00 A 4.00 A -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 70 W 2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 8 @2A, 5V 8 @2A, 5V 8 @2.5A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 40 - -

额定功率(Max) 70 W 2 W 70 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 70000 mW 75000 mW -

频率 - 4 MHz -

热阻 - 1.67℃/W (RθJC) -

长度 10.67 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 9.4 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台