SPD08N50C3和STD11N50M2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPD08N50C3 STD11N50M2 STD11NM50N

描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Trans MOSFET N-CH 550V 8A 3Pin DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  STD11NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 0.53 Ω 0.4 Ω

耗散功率 83 W 85 W 70 W

阈值电压 - 2 V 3 V

漏源极电压(Vds) 560 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V -

上升时间 5 ns 9 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) 395pF @100V(Vds) 547pF @50V(Vds)

下降时间 7 ns 28.5 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83W (Tc) 85W (Tc) 70W (Tc)

针脚数 - - 3

极性 N-Channel - N-Channel

额定功率(Max) 83 W - 70 W

额定电压(DC) 560 V - -

额定电流 7.60 A - -

连续漏极电流(Ids) 7.6A - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - 6.6 mm

宽度 6.22 mm - 6.2 mm

高度 2.41 mm - 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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