FQD11P06和FQD11P06TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD11P06 FQD11P06TM FQD11P06TF

描述 60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD11P06TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.4 A, -60 V, 0.15 ohm, -10 V, -4 V 新Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -9.40 A -9.40 A

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.15 Ω 185 mΩ

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2.5W (Ta), 38W (Tc)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 9.4A 9.40 A 9.40 A

上升时间 - 40 ns -

输入电容(Ciss) - 550pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 - 45 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5 W 2.5W (Ta), 38W (Tc)

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.1 mm -

高度 - 2.3 mm -

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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