对比图
型号 FDA18N50 STW12NK90Z STD15NF10T4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA18N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-252-3
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.22 Ω 0.72 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 239 W 230 W 70 W
阈值电压 5 V 3.75 V 3 V
输入电容 2.86 nF - -
栅电荷 60.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 500 V 900 V 100 V
漏源击穿电压 500 V 900 V 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 19.0 A 11.0 A 23.0 A
上升时间 165 ns 20 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 2860pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 239 W 230 W 70 W
下降时间 90 ns 55 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 239 W 230W (Tc) 70W (Tc)
额定电压(DC) - 900 V 100 V
额定电流 - 11.0 A 23.0 A
额定功率 - 230 W -
长度 15.8 mm 15.75 mm 6.6 mm
宽度 5 mm 5.15 mm 6.2 mm
高度 18.9 mm 20.15 mm 2.4 mm
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - -