对比图
型号 IRG4RC20FTRLPBF IRG4RC20FTRPBF IRG4RC20FPBF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 66000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RIRG4RC20FTRPBF 系列 600 V 12 A N 沟道 快速 IGBT - DPAKIGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 66 W 66 W
耗散功率 66000 mW 66000 mW 66000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 66 W 66 W 66 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 66000 mW 66000 mW 66000 mW
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99