对比图
型号 SPB80N03S2L-06 STP75N3LLH6 STP130NS04ZB
描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN沟道30 V ， 0.0042 I© ， 75 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ，短IPAK N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAKN沟道钳位 - 7毫欧 - 80A TO- 220 / I2 / D2PAK / TO- 247完全保护网覆盖TM MOSFET N-channel clamped - 7 mOHM - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay TM MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3-2 TO-220-3 TO-220
极性 N-CH N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 33 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 75A 80A
上升时间 23.0 ns 30 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 2530pF @25V(Vds) 2030pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds)
下降时间 - 12 ns 100 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 60W (Tc) 300000 mW
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 80.0 A - -
耗散功率 150W (Tc) 60 W -
额定功率(Max) 150 W 60 W -
封装 TO-263-3-2 TO-220-3 TO-220
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -