对比图
型号 STB25NM60ND STB26NM60N STB23NM60ND
描述 N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STB26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.13 Ω 0.135 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 140 W 150 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 21A 20A 10.0 A
上升时间 30 ns 25 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 140 W 150 W
下降时间 40 ns 50 ns 42 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 140W (Tc) 150W (Tc)
长度 10.75 mm 10.75 mm 10.75 mm
宽度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm
高度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -