N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STB25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
N沟道 600 V 0.16 Ohm 表面贴装 FDmesh II 功率 MosFet - D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB25NM60ND MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 600V 21A 160mOhm TO263-3 **
力源芯城:
600V,21A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.13 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 2400pF @50VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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