STB25NM60ND

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STB25NM60ND概述

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STB25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
N沟道 600 V 0.16 Ohm 表面贴装 FDmesh II 功率 MosFet - D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB25NM60ND  MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 600V 21A 160mOhm TO263-3 **


力源芯城:
600V,21A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK


STB25NM60ND中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.13 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 2400pF @50VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STB25NM60ND引脚图与封装图
STB25NM60ND引脚图
STB25NM60ND封装图
STB25NM60ND封装焊盘图
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型号: STB25NM60ND
描述:N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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