PBSS5350SS,115和PBSS5350D,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS5350SS,115 PBSS5350D,135 PBSS5350D

描述 PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsPBSS5350D - 50 V,3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管NXP  PBSS5350D  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 600 mW, 3 A, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 - 6

封装 SOIC-8 SOT-457 SOT-457

极性 NPN+PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 2.7A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 180 @1A, 2V 100 @2A, 2V -

额定功率(Max) 750 mW 750 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 830 mW 750 mW -

耗散功率 - 750 mW 600 mW

针脚数 - - 6

直流电流增益(hFE) - - 200

长度 4.8 mm - -

宽度 4.2 mm - -

高度 5.2 mm - -

封装 SOIC-8 SOT-457 SOT-457

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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