SI4100DY-T1-GE3和SI4104DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4100DY-T1-GE3 SI4104DY-T1-GE3 IRF7474PBF

描述 N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorN 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorINFINEON  IRF7474PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 100 V, 63 mohm, 10 V, 5.5 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC SOIC

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.051 Ω 0.085 Ω 63 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 6 W 5 W 2.5 W

阈值电压 2 V 2.5 V 5.5 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

上升时间 12 ns - 7.9 ns

输入电容(Ciss) 600pF @50V(Vds) 446pF @50V(Vds) 1400pF @25V(Vds)

下降时间 10 ns - 5.9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 6 W 2.5 W 2500 mW

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 4.50 A

产品系列 - - IRF7474

连续漏极电流(Ids) - - 4.50 A

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.55 mm 1.55 mm -

封装 SOIC SOIC SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Bulk

产品生命周期 - - Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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