IPD30N10S3L34ATMA1和STD40NF10的区别_IPD30N10S3L34ATMA1代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD30N10S3L34ATMA1 STD40NF10 HUF75631S3S

描述 INFINEON IPD30N10S3L34ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 VSTMICROELECTRONICS STD40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V33A, 100V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Intersil (英特矽尔)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0258 Ω 0.025 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 57 W 125 W -

阈值电压 1.7 V 3 V -

输入电容 1520 pF - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 30A 50A -

上升时间 4 ns 46 ns -

输入电容(Ciss) 1520pF @25V(Vds) 2180pF @25V(Vds) -

下降时间 3 ns 13 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 57W (Tc) 125W (Tc) -

通道数 - 1 -

额定功率(Max) - 125 W -

长度 6.5 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.3 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -