对比图
描述 N沟道650 V， 0.085 I© ， 27 A， MDmeshâ ?? ¢在D²PAK V功率MOSFET ， TO- 220FP ， I²PAK ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh⢠V Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.073 Ω
耗散功率 40 W 35 W
阈值电压 - 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V
上升时间 12 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 3750pF @100V(Vds) 3000pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 40 W 35 W
下降时间 16 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40W (Tc) 35W (Tc)
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free