US6K2TR和US6M1TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 US6K2TR US6M1TR

描述 30V,1.4A,双N沟道MOSFETN-沟道 + P-沟道 2 W 30 V/-20 V 280 mOhm 表面贴装 4 + 2.5 V 驱动 MosFet -TUMT-6

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SMD-6 SOT-363-6

额定电流 1.40 A 1.40 A

通道数 - 2

针脚数 - 6

漏源极电阻 0.27 Ω 170 mΩ

极性 N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 1 W 1 W

阈值电压 - 2.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30V, 20V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 1.40 A 1.40 A, 1.00 A

上升时间 6 ns 6.00 ns

输入电容(Ciss) 70pF @10V(Vds) 70pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1 W

额定电压(DC) 30.0 V -

输入电容 70 pF -

下降时间 8 ns -

长度 - 2 mm

宽度 - 1.7 mm

高度 - 0.77 mm

封装 SMD-6 SOT-363-6

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台