对比图
型号 IRLR3105PBF RFD14N05LSM RFD14N05LSM9A
描述 INFINEON IRLR3105PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 55 V, 37 mohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05LSM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 57 W 14 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.037 Ω 100 mΩ 100 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 57 W 48 W 48 W
阈值电压 3 V 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 55 V 50 V 50 V
连续漏极电流(Ids) 25A 14.0 A 14.0 mA
上升时间 57 ns 24 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 710pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)
下降时间 37 ns 16 ns 16 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 57W (Tc) 48 W 48W (Tc)
额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V
额定电流 - 14.0 A 14.0 A
输入电容 - 670 pF 670 pF
栅电荷 - 40.0 nC 40.0 nC
漏源击穿电压 - 50.0 V 50.0 V
栅源击穿电压 - ±10.0 V ±10.0 V
额定功率(Max) - 48 W 48 W
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
ECCN代码 - EAR99 EAR99