对比图
型号 SPP80N08S2L-07 STP75NF75 STP76NF75
描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics75V,9.5mΩ,80A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 75.0 V 75.0 V -
额定电流 80.0 A 80.0 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0095 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W
阈值电压 - 3 V -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 - 75.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80A
上升时间 81 ns 25.0 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 6820pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - 175 ℃ -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
下降时间 78 ns - 30 ns
输入电容 6.82 nF - -
栅电荷 233 nC - -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -
ECCN代码 - EAR99 -