对比图
型号 PH20100S,115 PSMN3R3-40YS HAT2173H-EL-E
描述 PH20100S - N沟道TrenchMOS标准电平FETNXP PSMN3R3-40YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2.6 mohm, 10 V, 3 V硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 5
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
针脚数 - 4 -
漏源极电阻 - 0.0026 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 62.5 W 117 W 30 W
阈值电压 - 3 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 40 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 34.3 A 100A 25A
输入电容(Ciss) 2264pF @25V(Vds) 2754pF @20V(Vds) 4350pF @10V(Vds)
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 62.5W (Tc) 117 W 30W (Tc)
额定功率(Max) 62.5 W - 30 W
上升时间 - - 15 ns
下降时间 - - 5.7 ns
长度 - 5 mm -
宽度 - 4.1 mm -
高度 - 1.1 mm -
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Exempt RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon