BFQ19和MRF586

对比图

型号 BFQ19 MRF586 BFG35,115

描述 NXP  BFQ19  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 100 mA, 80 hFE射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORSNXP  BFG35,115  晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Microsemi (美高森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-89 TO-205 TO-261-4

频率 - 3000 MHz 4000 MHz

耗散功率 1 W 1 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) - 17 V 18 V

增益 - 13.5 dB -

最小电流放大倍数(hFE) 25 40 @50mA, 5V 25 @100mA, 10V

额定功率(Max) - 1 W 1 W

耗散功率(Max) - 1000 mW 1000 mW

针脚数 3 - 3

极性 NPN - NPN

直流电流增益(hFE) 80 - 70

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

测试频率 500 MHz - -

高度 - 6.6 mm 1.7 mm

封装 SOT-89 TO-205 TO-261-4

长度 - - 6.7 mm

宽度 - - 3.7 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99